拓墣產業研究院指出，相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設計，達到減少模組、系統周邊的零組件及冷卻系統的體積。除了輕化車輛設計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉時的能源轉換損失，兩者對于電動車續航力的提升有相當的幫助。因此，Si
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